本文作家：申念念琦

起原：硬AI

商场皆在说HBM供不应求，同期带动传统DRAM和NAND进一步加价。

那么以韩国为代表的存储商场，2季度到底推崇若何，3季度会增长几许？

野村在昨天的答复中作念了简要理解。

2季度出货环比1%，6月环比增幅明显

2季度韩国半导体公司的内存收入将同比增长137%，环比增长29%，部分原因是好意思元兑韩元的增值（好意思元/韩元汇率在2Q24均辞别同比上升9%和环比上升4%）。

2季度内存出货量同比增长约10%，环比增长1%，DRAM和NAND价钱均上升约20%。

具体而言，6月份内存出口同比增长29%，环比增长85%至88亿好意思元，股东2Q内存出口达215亿好意思元（环比增长14%，同比增长94%）。

3季度环比赓续增长，DRAM和NAND加价10%

关于3季度，野村进一步瞻望韩国内存收入将同比增长31%，环比赓续增长，主要由HBM产能推广和商品价钱上升股东。

 

要点是，野村瞻望韩国半导体公司的盈利才能将在2024年下半年权臣进步。同期由于HBM产能推广和苍劲需求，DRAM和NAND的商品价钱上升10%。

昨日的AI脱水中，配资百科硬AI指出了SK Hynix晓谕了将投资103万亿韩元（约合747亿好意思元），霸术在2028年之前进一步加强其面向东谈主工智能存储芯片业务。

其中约80%（即82万亿韩元）的投资将用于发展高带宽內存（HBM）芯片，以股东与AI芯片发展的合营。

野村在答复中给出了韩国半导体企业不同家具，不同工艺下的本钱开支情况。具体来看：

不同工夫节点（Tech node）下，DRAM、NAND和晶圆代工每新增1万片产能所需的本钱支拨金额：

晶圆代工（Foundry）：7nm需20万亿韩元，5nm需32万亿韩元，3nm需27万亿韩元3D NAND：128L需10万亿韩元，176L需14万亿韩元DRAM：1ynm需9万亿韩元，1znm需10万亿韩元，1anm需12万亿韩元

注：3D NAND的单元是“层”（L），DRAM的单元是“纳米”（nm），y z A辞别代表第二、三、四代10nm工艺节点。

此前的事迹会上，公司还强调将在本年推出基于10纳米工艺的32Gb DDR5家具，这是第五代10纳米（1bnm）工夫万和保险公司正规吗，以加强其在高容量处事器DRAM商场的指点地位。

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